-30V -2.5A P-ch パワーMOSFET

XP162A11C0PRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したPチャネルパワーMOS FET です。

スイッチング速度の高速化ができ、セットの高効率化、省エネルギー化を図ることが可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。

パッケージ

パッケージ名 ピン数 個/リール 外形寸法
SOT-89 3 1,000 4.5 x 4.0 x 1.6

XP162A11C0PR シリーズ品番一覧

品番 サンプル パッケージ EDA オンラインストア

XP162A11C0PR-G

SOT-89

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