パワー半導体 SiC ショットキーバリアダイオード 850V/10A サンプル提供開始

投稿日 : 2023年5月12日

トレックス・セミコンダクター株式会社(東京都中央区 代表取締役:芝宮 孝司 以下トレックス)は、エアコンやEVチャージなどの電源システムの低消費電力化・小型化に貢献するパワー半導体の新製品として、SiCを用いた850V/10AのショットキーバリアダイオードXBSC11A108CSのサンプル提供を開始しました。

トレックスは電源ICに特化したアナログCMOS のプロフェッショナル集団ですが、子会社のフェニテックセミコンダクターが開発したSiC SBDチップを先ずは汎用性のあるTO-220ACに搭載し市場へ投入致します。

本製品は2023年の量産化を目指し、本製品を皮切りに順次650V~1200Vの製品ラインナップ化を計画しております。

トレックスでは、今後も市場ニーズに合わせた製品開発を迅速に行い、豊かな社会実現に貢献してまいります。

図1  SiC-SBD  TO-220AC「XBSC11A108CS
製品名パッケージVRM(V)IF(AV)(A)VF(V)
TYP
XBSC11A108CSTO-220AC850101.5

[サンプル品]

製品名サンプル価格
XBSC11A108CS800円(税込価格)

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